|
|
 |
 |
 |
Fotodiode p-i-n. Fotodioda p-i-n elaborata este bazata pe materiaele: GaAs, AlGaAs, InP, InGaAs, InGaAsP. Tehnologia de fabricare se bazeaza pe epitaxia in faza lichida. |
|
|
Senzori de radiatie UV. Senzorul de radiatie ultravioleta elaborat este bazat pe structurile de GaP-SnO2; pe baza heterostructurilor GaAs-AlGaAs-SnO2 si cu strat defect. |
|
|
|
|
Modul Dioda Laser DLC-500. Modulul DLC este o dioda laser speciala fabricata pe baza semiconductorilor InGaAs/AlGaAs/GaAs incorporata intr-un sistem optic, care permite de a obtine un fascicol de radiatie optica cu o divergenta nu mai mult de 3 mrad. |
|
TERALASER. Interval spectral de emisie 850 - 1000 nm; cost mic de producere; consum de energie redus; accesibilitate pentru uz casnic; eficienta inalta a tratamentului , in special, in terapia post-chirurgicala si traumatologie. |
|
|
|
|
 |
 |
|
Directiile principale de activitate:
-Tehnologia materialelor si structurilor semiconductoare pe baza compusilor A3B5,utilizind metoda de epitaxie din faza lichida;
-Proiectarea si confectionarea fotoreceptorilor cu diverse aplicatii pentru intervalul spectral 0.25 < l < 1.65 mm;
-Proiectarea si confectionarea senzorilor de cimp magnetic pe baza compusilor A3B5.
|
 |
|
|
|
